存儲芯片漲價潮愈演愈烈。

　　據最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預期。目前三星電子已經著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

　　多家機構分析認為，AI浪潮驅動的“存儲芯片超級周期”正全面到來?；ㄆ祛A計，2026年動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）與閃存產品的平均售價或將分別上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預測的53%、44%。

　　價格暴漲

　　1月25日，據韓國《電子時報》報道，今年第一季度，三星電子將NAND閃存的供應價格上調了100%以上，這一漲幅遠高于市場此前預期，凸顯了當前存儲芯片市場嚴重的供需失衡現狀。

　　市場調研機構TrendForce此前預測，2025年第四季度NAND價格漲幅為33%至38%，并預計今年第一季度將維持類似漲幅。

　　報道稱，據業(yè)內知情人士透露，三星電子已于2025年年底完成了與主要客戶的供應合同談判，并從今年1月起正式實施新的價格體系。

　　據報道，目前三星電子已經著手與客戶就今年第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

　　這一激進的定價策略反映了AI基礎設施建設對高性能存儲設備的旺盛需求。

　　隨著企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）需求因數據中心擴張而爆發(fā)，以及“端側AI”推動移動設備和PC向高容量存儲升級，需求端呈現指數級增長。然而，供給端并未能及時跟進，導致存儲芯片市場正陷入“有價無貨”的局面。

　　除了三星電子以外，作為NAND市場份額排名第二的巨頭，SK海力士也采取了類似的定價策略，顯示出頭部廠商強大的議價能力。

　　野村證券等海外投行指出，即使是市場排名第五的SanDisk，也計劃在新的一年將NAND價格上調100%。一位行業(yè)相關人士表示，與DRAM的情況如出一轍，NAND制造商紛紛加入漲價行列，全行業(yè)的全面提價已成定局。

　　在供給端，存儲芯片市場仍面臨嚴重的產能剛性制約。過去一年中，NAND閃存領域并未出現大規(guī)模的產能擴充，主要制造商包括三星電子在內，在投資上均保持了審慎態(tài)度，業(yè)界的共識是出貨量的增長極為有限。

　　鑒于半導體產能建設的長周期特性，短期內通過增加供給來平抑價格并不現實。

　　存儲芯片漲價的壓力將不可避免地向消費端傳導。行業(yè)觀察人士指出，不僅是AI數據中心，智能手機和PC制造商也計劃因應內存成本上漲而提高最終產品的售價。

　　根據日程安排，下周四（1月29日），SK海力士、三星電子將公布2025年第四季度財報。

　　“今年產能已售罄”

　　種種跡象表明，存儲芯片市場供應緊張或將持續(xù)。日本存儲巨頭鎧俠日前警告稱，至少在未來兩年內，存儲市場將持續(xù)受到AI相關投資的影響。更糟糕的是，消費者將不得不為相同的產品支付更高的價格。

　　鎧俠是全球頂尖NAND閃存與SSD解決方案廠商，2018年從東芝公司分拆出來，當前為全球第三大NAND閃存供應商。

　　鎧俠存儲器事業(yè)部執(zhí)行董事中戶俊介（Shunsuke Nakato）證實，公司2026年的NAND閃存產能已全部售罄。

　　目前鎧俠正全力提升面向企業(yè)級AI場景的存儲設備性能。然而，對于個人消費者而言，這一重心傾斜卻推高了傳統(tǒng)消費級存儲產品的價格。

　　在韓國首爾的一次活動中，中戶俊介談到了當前由AI驅動的存儲“超級周期”，并預計NAND閃存供應緊張的局面至少會持續(xù)至2027年。

　　為統(tǒng)籌市場需求，鎧俠正與長期合作伙伴協(xié)調年度芯片產能的分配方案，而非將產能優(yōu)先分配給出價最高的買家，以避免市場失序。

　　展望未來，鎧俠預計其業(yè)務在未來數月乃至數年內將實現大幅擴張，而漲價或將成為推動業(yè)務增長的重要因素。

　　在華爾街，花旗、摩根士丹利以及美國銀行研究團隊一致認為，AI浪潮驅動的“存儲芯片超級周期”全面到來，且這一輪周期的強度與持續(xù)時間長度可能遠遠強于2018年的那輪“云計算時代驅動的存儲超級牛市”。

　　以Peter Lee為首的花旗分析師預計，2026年DRAM與閃存產品的平均售價或將分別上漲88%、74%，漲幅高于花旗此前預測的53%、44%。

　　分析師指出，受AI應用程序使用率提升，以及AI訓練和推理專用中央處理器需求增長的推動，今年通用型存儲器產品預計將出現嚴重短缺。

　　野村分析師認為，這一輪始于2025年下半年的“存儲芯片超級周期”至少延續(xù)至2027年，并且真正有意義的新增供給最早要到2028年初期才會出現。