近日，據(jù)韓國媒體報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應(yīng)價格上調(diào)了100%以上，這一漲幅遠超市場此前預(yù)期，凸顯了當(dāng)前半導(dǎo)體市場嚴(yán)重的供需失衡現(xiàn)狀。
據(jù)了解，2025年下半年以來，存儲市場價格快速上漲，也帶動了A股存儲板塊的大漲。Wind存儲器指數(shù)自2025年6月底至今的漲幅已超過100%。
綜合眾多分析機構(gòu)的觀點來看，本輪價格上漲除了由AI服務(wù)器和通用服務(wù)器共同驅(qū)動，還存在著結(jié)構(gòu)性的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換和多個維度的需求競爭，短缺和漲價或?qū)掷m(xù)更長時間。
AI帶動存儲需求劇增
據(jù)報道，媒體行業(yè)知情人士透露，三星電子已于2025年年底完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，并從2026年1月起正式實施新的價格體系。這是繼DRAM內(nèi)存價格被曝上調(diào)近70%之后，存儲市場的又一重磅調(diào)價信號。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。
招商證券指出，截至2026年1月，全球存儲產(chǎn)業(yè)（以SSD/ NAND Flash為主，兼顧DRAM）正處在一輪明顯的漲價上行期。與過去“消費旺季—補庫存”式的短周期波動不同，本輪更像結(jié)構(gòu)性緊缺：上游報價強勢回歸，下游被迫在提價、改配置、鎖單和備貨之間重新取舍。
根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新研究，AI的創(chuàng)新帶來市場結(jié)構(gòu)性變化，數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴大，除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產(chǎn)品配置，以支撐大型模型參數(shù)存取、長序列推理與多任務(wù)并行運作之外，NAND Flash也是高速數(shù)據(jù)流動的關(guān)鍵基礎(chǔ)元件，因此存儲器已成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)中不可或缺的關(guān)鍵資源，更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產(chǎn)能之下必須達成更多的分配，帶動報價不斷上漲，連帶使得整體存儲器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逐年創(chuàng)新高，預(yù)估2026年達5516億美元，2027年則將再創(chuàng)高峰達8427億美元，年增53%。
而觀察NAND Flash領(lǐng)域的產(chǎn)值變化，由于NVIDIA（英偉達）在剛結(jié)束的2026年CES中指出，AI正在徹底重塑整個運算堆棧，隨著生成式AI邁向具備長期推理能力的代理型系統(tǒng)，AI Agent在執(zhí)行任務(wù)時需頻繁存取龐大的矢量數(shù)據(jù)庫以進行檢索增強生成（RAG），相關(guān)數(shù)據(jù)量龐大且具高度隨機存取特性，將顯著推升對高 IOPS 企業(yè)級SSD的需求，也帶動NAND Flash報價漲幅擴大，預(yù)估今年第一季將有55%—60%的季增幅，且漲勢有望持續(xù)至今年底，同步推升2026年產(chǎn)值年增率來到112%，產(chǎn)值成長至1473億美元。
綜觀整體存儲器市場，缺貨的市態(tài)尚未有緩解的可能，故合約價的話語權(quán)仍落在供應(yīng)商端。展望未來，TrendForce集邦咨詢認為，AI浪潮仍在持續(xù)進化，從硬件堆棧、系統(tǒng)架構(gòu)到軟件應(yīng)用皆在同步推進，存儲器已是AI運算不可或缺的核心資源。在AI 服務(wù)器、高效能運算與企業(yè)級儲存需求長期支撐下，DRAM與NAND Flash合約價漲勢預(yù)期將延續(xù)至2027年，因此市場的營收成長動能有望延續(xù)至2027年。
存儲公司業(yè)績“暴增”
東莞證券指出，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)查顯示，2026年存儲產(chǎn)能空前緊張，大型云服務(wù)廠商已經(jīng)提前啟動2027年供貨產(chǎn)能的“捆綁式談判”，將采購量、價格條件與后續(xù)年度供貨目標(biāo)一起協(xié)商，最快或?qū)⒂诮衲暌患径惹枚?027年供貨合同。供應(yīng)端存儲三大原廠短期內(nèi)難有效擴產(chǎn)。模組廠普遍有顆粒短缺與下游配貨壓力，業(yè)內(nèi)人士表示大型模組廠實際取得的顆粒，也僅有原先需求的30%—50%；手機與PC等傳統(tǒng)應(yīng)用被排至后段，多數(shù)品牌廠今年僅能取得原本50%—70%供應(yīng)量。
根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2026年，三星電子、SK海力士、美光科技三大DRAM原廠的晶圓總產(chǎn)出預(yù)計同比增長約5%達1800萬片，但仍難以滿足市場的需求。國產(chǎn)替代、自主可控仍是當(dāng)下半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大趨勢，全球內(nèi)存芯片供給緊張，國產(chǎn)廠商擴產(chǎn)動力充足，有助于通過產(chǎn)能擴張實現(xiàn)市場份額擴張，加速國產(chǎn)替代進程。技術(shù)層面，3D NAND、HBM等行業(yè)前沿技術(shù)工藝不斷突破，“兩存”（長鑫存儲、長江存儲）等國產(chǎn)重點廠商在技術(shù)層面奮起直追，長鑫科技DDR5產(chǎn)品已經(jīng)完成量產(chǎn)，性能達到國際先進水平，被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、個人電腦等領(lǐng)域；LPDDR5X產(chǎn)品通過創(chuàng)新封裝技術(shù)和優(yōu)化內(nèi)存設(shè)計，在容量、速率、功耗上都有顯著提升，最高速率較上一代提升約66%，功耗較LPDDR5降低30%。
值得關(guān)注的是，長鑫科技已正式啟動IPO，資本化提速利好后續(xù)擴產(chǎn)。目前，長鑫科技在合肥、北京共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，產(chǎn)能規(guī)模全國第一，全球第四，僅次于三星電子、SK海力士和美光科技。
據(jù)悉，該公司申報科創(chuàng)板上市擬募資295億元，用于存儲器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級改造項目、DRAM存儲器技術(shù)升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項目建設(shè)，合計總投資規(guī)模達345億元。同時，長鑫科技2025年前三季度營收為321億元，凈利潤為-60億元；預(yù)計全年營收為550億—580億元，凈利潤為20億—35億元；預(yù)計2025年第四季度單季度營收為229億—259億元，凈利潤為80億—95億元。
此外，本輪存儲市場的大漲價也帶動不少存儲行業(yè)公司的業(yè)績“暴增”。如佰維存儲發(fā)布的業(yè)績預(yù)告顯示，預(yù)計2025年實現(xiàn)營收100億元至120億元，同比增長49.4%至79.2%。2025年單四季度營收34.2億元至54.2億元，同比增長105.1%至224.9%，環(huán)比增長28.6%至103.7%。預(yù)計2025年度實現(xiàn)歸母凈利潤8.5億元至10億元，同比增長427.2%至520.2%，2025年單四季度歸母凈利潤預(yù)計為8.2億元至9.7億元，同比增長1225.4%至1449.7%，環(huán)比增長219.9%至278.4%。
佰維存儲在投資者關(guān)系記錄中表示，從當(dāng)前來看，存儲產(chǎn)品價格在2026年第一季度、第二季度有望持續(xù)上漲。在供應(yīng)方面，公司積極備貨，目前庫存較為充足。公司與全球主要存儲晶圓原廠繼續(xù)簽訂LTA（長期供應(yīng)協(xié)議），公司北美客戶亦積極與原廠溝通，幫助公司鎖定原廠產(chǎn)能，有效保障關(guān)鍵原材料的穩(wěn)定供應(yīng)。
責(zé)編：李丹