2026年1月8日，中微公司（688012.SH）發(fā)布了一則公告：公司董事長、總經(jīng)理尹志堯擬于1月30日至4月29日減持0.046%股權(quán)，原因是由于其從外籍恢復(fù)中國籍，出于依法辦理相關(guān)稅務(wù)需要而進(jìn)行的減持。截至1月9日收盤，中微公司股價(jià)報(bào)336.68元/股，總市值為2108億元。尹志堯擬減持股票市值約為9764萬元。

　　一紙公告，將即將82歲的尹志堯和中微公司推至臺前，引起市場關(guān)注。目前，尹志堯持有中微公司0.664%股權(quán)。

　　截至1月16日收盤，中微公司市值超2300億元

　　對于尹志堯而言，從2004年創(chuàng)辦中微公司到今天，他用了20多年將這家公司從零打造成全球領(lǐng)先的微觀加工設(shè)備巨頭，在刻蝕領(lǐng)域足以與應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體等國際大鱷分庭抗禮。

　　而在20年前，人們普遍不覺得在技術(shù)壁壘極高、被美日巨頭絕對壟斷的半導(dǎo)體高端制造設(shè)備領(lǐng)域，一家中國初創(chuàng)公司能有生存空間。但尹志堯改變了整個(gè)行業(yè)的看法。

　　目前的中微公司，市值已經(jīng)高達(dá)2361億元（截至2026年1月16日）。中微公司最新披露的三季報(bào)顯示，2025年前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入80.63億元，同比增長46.40%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤12.11億元，同比增長32.66%。

　?。▓D片來源：中微公司）

　　60歲創(chuàng)辦中微公司

　　1944年出生的尹志堯，1956年考入北京市第四中學(xué)，與中芯國際前董事長江上舟為校友。在經(jīng)歷了中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)物理學(xué)士學(xué)位、北京大學(xué)化學(xué)系就讀研究生的學(xué)術(shù)歷練后，尹志堯在二十世紀(jì)八十年代踏上硅谷。

　　那時(shí)正是張忠謀在德州儀器嶄露頭角、英特爾確立半導(dǎo)體霸權(quán)的黃金時(shí)代，尹志堯先后在英特爾、泛林半導(dǎo)體和應(yīng)用材料等半導(dǎo)體巨頭工作了近20年，他親手參與了多代刻蝕機(jī)的研發(fā)，是幾代等離子體刻蝕技術(shù)及設(shè)備的主要發(fā)明人和工業(yè)化應(yīng)用的推動者之一，這些機(jī)器如今仍有在全球各地的生產(chǎn)線上運(yùn)作。

　　刻蝕，是芯片制造三大核心工藝（光刻、刻蝕、薄膜沉積）之一。就像光刻機(jī)被視為半導(dǎo)體制造突破先進(jìn)制程的關(guān)鍵設(shè)備，臺積電、中芯國際、海力士等晶圓制造巨頭在推進(jìn)更先進(jìn)的制程時(shí)，必須依賴高精度的等離子體刻蝕技術(shù)，在硅片上雕琢出數(shù)以百億計(jì)、深寬比極大的微觀溝槽。

　　憑借自己的勤奮和聰明，在泛林半導(dǎo)體，尹志堯主導(dǎo)研發(fā)的“彩虹號”電容性介質(zhì)等離子體刻蝕機(jī)，助力泛林半導(dǎo)體確立了市場和技術(shù)領(lǐng)先；在應(yīng)用材料，他作為企業(yè)副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官，幾乎參與了當(dāng)時(shí)最重要的幾代刻蝕設(shè)備研發(fā)。

　　在硅谷的20年里，尹志堯個(gè)人擁有超過80項(xiàng)美國專利，被公認(rèn)為等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域最有影響力的專家之一。

　　如果說光刻是在硅片上畫出極其精細(xì)的電路圖紙，那么薄膜沉積就是負(fù)責(zé)在硅片表面鋪上一層薄膜，刻蝕則在硅片上雕刻出微觀的溝槽，按照圖紙去掉不該有薄膜覆蓋的地方，隨著芯片制程從28納米向更先進(jìn)制程演進(jìn)，這種微觀雕刻的難度呈幾何級數(shù)增長。

　　在總結(jié)刻蝕工藝在芯片制造中的核心地位時(shí)，尹志堯解釋說，實(shí)現(xiàn)極高精度的“微觀雕刻”能力對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越物理極限至關(guān)重要。從早期的65 納米、40納米，到如今攻堅(jiān)的5納米、3納米，每一代制程的演進(jìn)都離不開刻蝕機(jī)的精準(zhǔn)作業(yè)。

　　他將微觀加工比作“剪窗花”：薄膜沉積負(fù)責(zé)提供“紅紙”，光刻機(jī)負(fù)責(zé)在紙上畫出“花紋”，而等離子體刻蝕機(jī)則充當(dāng)那把極其精密的“剪刀”，負(fù)責(zé)去掉不該有的部分，最終刻畫出一層層的微觀結(jié)構(gòu)。

　　盡管光刻機(jī)始終被視為三大工藝的“老大”，但隨著制程進(jìn)入14納米以下，即使是極紫外（EUV）光刻機(jī)的波長也難以直接畫出更細(xì)的線條。此時(shí)，行業(yè)必須通過多重模板技術(shù)，利用刻蝕機(jī)和薄膜的配合進(jìn)行處理，將線條由粗變細(xì)。

　　到今天，刻蝕技術(shù)的每一次突破，都直接為先進(jìn)制程量產(chǎn)清除了障礙，而芯片性能的提升又反過來對刻蝕工藝提出了更嚴(yán)苛的要求，形成了推動摩爾定律前行的循環(huán)。

　　2004年，尹志堯聽從時(shí)任上海市經(jīng)委副主任江上舟的勸導(dǎo)，辭去了當(dāng)時(shí)全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料公司副總裁的工作，回到上海創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體設(shè)備公司，研究半導(dǎo)體刻蝕工藝設(shè)備，將余生交付給中國的半導(dǎo)體事業(yè)。

　　從圍堵中突圍：多次面臨美國政府打壓

　　中微初創(chuàng)時(shí)，面對的是已經(jīng)建立了數(shù)十年專利壁壘和市場霸權(quán)的國際巨頭，處境極其艱難。

　　面對這種近乎窒息的壓制，尹志堯并未選擇按部就班地補(bǔ)短板，而是提出必須在技術(shù)路線上實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新與差異化，直接實(shí)現(xiàn)趕超。例如，針對困擾行業(yè)20年的等離子源難題，中微首創(chuàng)了將高頻和低頻交流射頻全部加在下電極的“去耦合反應(yīng)離子刻蝕”概念，這一技術(shù)領(lǐng)先了國際巨頭數(shù)年，甚至引發(fā)了后續(xù)的行業(yè)跟進(jìn)。

　　在設(shè)備結(jié)構(gòu)上，中微更是劍走偏鋒，研發(fā)出“雙反應(yīng)臺同時(shí)加工”的巧妙設(shè)計(jì)。這種在一個(gè)反應(yīng)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)兩片晶圓同時(shí)操作的方案，讓生產(chǎn)效率在同樣的占地空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了翻倍。

　　2007年6月，中微公司首臺雙反應(yīng)臺CCP刻蝕設(shè)備研制成功，交付國內(nèi)客戶。該臺刻蝕機(jī)可應(yīng)用于12英寸晶圓產(chǎn)線，覆蓋65納米至45納米的芯片生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)高端刻蝕設(shè)備從0到1的突破。正是憑借這種與眾不同的技術(shù)創(chuàng)新路線，中微成功地在市場中為中國半導(dǎo)體設(shè)備爭得了一席之地。

　　中微公司在刻蝕領(lǐng)域異軍突起，迅速引起了國際巨頭的警惕。對于領(lǐng)先者而言，訴訟是遏制潛在競爭對手最廉價(jià)且有效的手段。

　　2007年10月，應(yīng)用材料公司首先發(fā)難，在美國聯(lián)邦法院起訴中微，指控其侵犯專利并竊取商業(yè)秘密。隨后，泛林集團(tuán)也對中微提起訴訟，當(dāng)時(shí)的中微規(guī)模尚小，資金捉襟見肘，面對市值百倍于自己的對手，外界普遍認(rèn)為這家初創(chuàng)公司難逃夭折命運(yùn)。

　　然而，尹志堯展現(xiàn)出了典型工程師式理性。他在內(nèi)部推行嚴(yán)苛的“凈室”研發(fā)流程，要求研發(fā)人員在設(shè)計(jì)之初就進(jìn)行詳盡的專利規(guī)避，確立技術(shù)路徑的獨(dú)立性。此外，他不惜斥資2500萬美元聘請頂尖律師團(tuán)隊(duì)，對公司內(nèi)部的海量文檔進(jìn)行詳細(xì)核查，以自證核心技術(shù)完全屬于自主研發(fā)，絕非源自前東家應(yīng)用材料。

　　在長達(dá)數(shù)年的拉鋸戰(zhàn)中，中微不僅在法庭上出示了扎實(shí)的原創(chuàng)研發(fā)記錄，更直接向法官展示了完全獨(dú)立設(shè)計(jì)、不同于對手的反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)。在構(gòu)筑防御工事的同時(shí)，尹志堯還發(fā)起反擊，在上海起訴應(yīng)用材料不正當(dāng)競爭。

　　拉鋸兩年半，雙方和解，意味著中微公司從技術(shù)上站穩(wěn)了腳跟，此后泛林亦起訴過中微專利侵權(quán)，但均以中微勝訴告終。

　　2015年，美國商務(wù)部解除對中國高端刻蝕設(shè)備的出口管制，理由是中微等離子體刻蝕機(jī)的成功研發(fā)和量產(chǎn)，技術(shù)封鎖“已無必要”。

　　目前，中微已經(jīng)開發(fā)了18種等離子體刻蝕設(shè)備，覆蓋從65納米至5納米及更先進(jìn)制程工藝的應(yīng)用。在薄膜沉積設(shè)備（MOCVD）上，中微公司于2010年從零開始，一舉打破國內(nèi)市場一直被美國維科（Veeco）和德國愛思強(qiáng)（Aixtron）兩家供應(yīng)商長期壟斷的局面。

　　2019年7月22日，中微公司掛牌科創(chuàng)板，成為首批登陸科創(chuàng)板的25家公司之一，是其中唯一的半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)，被市場視為“硬科技”的標(biāo)桿。

　　同時(shí)，中微公司在上市當(dāng)天的表現(xiàn)也極具話題性，其發(fā)行市盈率高達(dá)170倍，遠(yuǎn)超當(dāng)時(shí)A股普遍的23倍紅線，被視為中國資本市場從看重“盈利規(guī)模”轉(zhuǎn)向看重“研發(fā)積累”的一大代表。

　　上市后，中微公司的挑戰(zhàn)從商業(yè)訴訟演變?yōu)榈鼐壊┺?，多次面臨美國政府打壓。地緣政治因素迫使中微公司加速了研發(fā)補(bǔ)短板進(jìn)程，財(cái)報(bào)顯示，2025年前三季度，中微研發(fā)支出達(dá)25.23億元，同比增長約63.44%，研發(fā)占比高達(dá)31.29%。

　　董事長已從美籍恢復(fù)為中國籍

　　回國之初，60歲的尹志堯流傳頗廣的一件軼事是，他在上海搭乘出租車時(shí)，司機(jī)看其狀態(tài)，隨口夸贊他“看起來也就38歲左右”，聽聞其已年屆花甲，司機(jī)驚嘆不已。至今，尹志堯仍保持著極高的工作強(qiáng)度，戰(zhàn)斗在科研與管理第一線。

　　而其一手締造的中微公司，完成了從零到與美日巨頭同場角力的跨越。身處在地緣政治風(fēng)暴的中心，尹志堯以老牌硅谷人的法治理性沉穩(wěn)應(yīng)對，堅(jiān)持以法律邏輯回應(yīng)政治壓力，以攻為守。這二十年的征程，他證明了在硬科技的硬核賽道里，中國企業(yè)不僅能靠技術(shù)突圍，更能靠規(guī)則與格局贏得尊重。

　　如今，82歲的尹志堯通過一紙減持公告，向外界展示了他人生一次重大身份回歸：從美籍恢復(fù)為中國籍，一位“硅谷老兵”對自己創(chuàng)業(yè)初衷，有了一個(gè)終極交代。

　　回首往事，尹志堯曾感言，自己在硅谷的二十年雖然深度參與了美、日頂級半導(dǎo)體設(shè)備巨頭的崛起，但作為在中國受過良好教育、擁有十余年本土實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)的老兵，三十六歲才赴美的他內(nèi)心始終存有一種對祖國的欠缺感，“應(yīng)該給自己的國家做事情?！?/p>

　　這種報(bào)國情懷不僅是個(gè)人志向，更是家族血脈的延續(xù)，“我們家前面三代都是學(xué)成回國報(bào)效祖國的，參加了民主革命和社會主義建設(shè)，所以我一定要效仿前輩的精神。”