中新社北京3月24日電 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所24日發(fā)布訃告：中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)杰出的微電子科學(xué)家吳德馨因病醫(yī)治無(wú)效，于3月23日下午在北京逝世，享年90歲。

　　吳德馨1936年12月生于河北樂(lè)亭，1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線(xiàn)電電子工程系，成為清華大學(xué)第一批半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)畢業(yè)生。她畢業(yè)后到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作，1986年調(diào)入中國(guó)科學(xué)院微電子研究所前身中國(guó)科學(xué)院微電子中心工作。1991年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。

　　吳德馨是中國(guó)半導(dǎo)體與集成電路研究的開(kāi)拓者之一，為國(guó)家微電子事業(yè)發(fā)展作出了卓越貢獻(xiàn)。

　　在中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作期間，她作為課題負(fù)責(zé)人承擔(dān)了新中國(guó)成立初期“12年科學(xué)規(guī)劃”中的“平面型高速開(kāi)關(guān)晶體管的研究”，獨(dú)立自主解決了提高開(kāi)關(guān)速度的關(guān)鍵問(wèn)題，開(kāi)關(guān)速度達(dá)到當(dāng)時(shí)國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品水平。該技術(shù)打破了西方國(guó)家對(duì)中國(guó)的封鎖，為“兩彈一星”配套的“109丙”計(jì)算機(jī)提供了核心器件。

　　在中國(guó)科學(xué)院微電子中心，吳德馨成功開(kāi)發(fā)出雙層多晶硅和差值氧化工藝，打破中國(guó)大規(guī)模集成電路成品率長(zhǎng)期低下的局面，為中國(guó)集成電路工業(yè)生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。她領(lǐng)導(dǎo)開(kāi)發(fā)出0.8微米CMOS全套工藝，科研成果和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)等效益不斷增加。

　　吳德馨先后榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)等。(完)