山東天岳先進材料科技有限公司于2010年注冊成立，主要經(jīng)營藍寶石和碳化硅半導(dǎo)體單晶襯底的生產(chǎn)。并于2012年實現(xiàn)產(chǎn)房建成并且投入生產(chǎn)。為推動國家半導(dǎo)體單晶襯底高新技術(shù)邁進了強有力的一步。
6月27日，中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織專家在濟南召開山東天岳先進材料科技有限公司“4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料”項目科技成果鑒定會。鑒定委員會通過聽取工作報告、技術(shù)報告、檢驗報告等，審查相關(guān)資料，考察科研生產(chǎn)現(xiàn)場，一致認為：該成果創(chuàng)新點突出，為國內(nèi)領(lǐng)先、并達到國際先進水平，同意通過鑒定。
據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展?？梢哉f，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
山東天岳先進材料科技有限公司研制的4英寸高純半絕緣SiC半導(dǎo)體材料的成功推出，對我國功率器件、深亞微米器件和微波功率器件的開發(fā)和應(yīng)用具有重要的意義。