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華人科學(xué)家首獲“先驅(qū)獎(jiǎng)”

2015-05-25 17:16:44

來源:《中國(guó)科學(xué)報(bào)》

原標(biāo)題:華人科學(xué)家首獲“先驅(qū)獎(jiǎng)”

  日前,在第27屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)上,電子科技大學(xué)教授、中國(guó)科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn),獲“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”,成為首位獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的華人科學(xué)家。

  國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)年會(huì),自1992年開始舉辦,每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)。(彭麗)

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